سامسونگ حافظه 160 لایه NAND تولید می نماید

گزارش‌های نو از رغبت سامسونگ به ساخت حافظه‌ی ۱۶۰ لایه‌ی NAND خبر میدهند . این نخستین‌بار است که شرکتی چنین حافظه‌ای ساخت میکند .

سامسونگ با داشتن ۳۶ درصد از سهم بازار جهانی حافظه‌های فلش NAND وارد سال ۲۰۲۰ شد و قصد دارااست با انجام کارهایی تازه , سهمش را به‌مرور بیشتر نماید . به‌علاوه , این موسسه کره‌ای حاضر نیست مقام فعلی خویش را به رقبا واگذار نماید و میخواهد با بهره‌گیری از علم متخصصانش به اولیه کمپانی جهان تبدیل شوند که حافظه‌ی ۱۶۰ لایه‌ی NAND ساخت می نماید . بر‌این‌اساس , گفته میگردد سامسونگ قصد داراست این گونه از حافظه‌ها را ازطریق خطوط ایجاد خویش در چین بسازد .

اوایل ماه سرازیر میلادی , یکی‌از شرکت‌های چینی عنوان در آغاز رسانه‌های سخت‌افزارمحور را ازآنِ خویش کرد . در آن زمان , اعلام شد بزرگ‌ترین کمپانی فعال در حوزه‌ی ایجاد تراشه در چین , یعنی YMTC , چیره شده‌است تراشه‌ی ۱۲۸ لایه‌ی QLC NAND بسازد ; حافظه‌ای که داعیه شد درمقایسه‌با نسل ششم حافظه‌های سامسونگ , یعنی حافظه‌ی ۱۳۶ لایه‌ی V – NAND , همت بهتری در‌زمینه‌ی گنجایش و سرعت و چه بسا مصرف انرژی دارااست . تا پیش‌از‌این , YMTC موفق‌ شده بود حافظه‌ای با حداکثر ۶۴ لایه ایجاد نماید .

SK Hynix کمپانی دیگری است که روی مرحله‌ی اولیه‌ی ساخت حافظه‌ی ۱۲۸ لایه‌ی TLC NAND فعالیت مینماید و قصد داراست در آتی از آن در درایو SSD فردی و سازمانیِ دارنده گنجایش دربین ۲۵۰ گیگابایت تا ۱۶ ترابایت سود پیروز شود . گفته می گردد این درایوهای SSD از دو جور بلید ( Blade ) و ۲/۵ اینچ خواهد بود . وسترن دیجیتال و Kioxia دو کمپانی دیگری به‌شمار میایند که گفته می شود در ادامه عرضه‌ی حافظه‌ی ۱۱۲ لایه‌ی سه‌بعدی NAND در سه‌ماهه‌ی چهارم همین سال میلادی میباشند . در صورتی‌که همه‌چیز طبق برنامه پیش برود , احتمال دارد کمپانی Micron بتواند نسل چهارم حافظه‌های خویش , یعنی حافظه‌های ۱۲۸ لایه‌ی NAND را پیش از فرارسیدن سه‌ماهه‌ی چهارم سال جاری در حافظه‌های SSD قرار دهد و به‌دست مشتریان برساند .

به‌نظر می رسد سامسونگ هم قصد دارااست خودش را در‌این حوزه محک بزند . گفته می‌گردد این مجموعه جدیدا به پروسه توسعه‌ی نسل هفتم حافظه‌های خویش , حافظه‌های ۱۶۰ لایه‌ی V – NAND , سرعت بخشیده است تا بتواند آنها را همزمان با حافظه‌های ۱۲۸ لایه‌ی QLC NAND کمپانی YMTC روانه‌ی بازار نماید . YMTC قصد دارااست تا پایان سال ۲۰۲۰ , حافظه‌های ۱۲۹ لایه‌ی QLC NAND را به مرحله‌ی ایجاد انبوه برساند .

تراشه‌ی NAND نو سامسونگ برپایه‌ی فناوری پیشرفته‌ی این مجموعه , Double Stack , ساخته خواهد شد تا ازطریق آن بتواند درمقایسه‌با تراشه‌های ۹۶ لایه که امروزه به‌وفور در بازار یافت می‌گردد , ‌ در هر بسته ۶۷ درصد تراکم بیشتری از قطعات را قرار دهد . استعمال از این راه منجر خواهد شد حافظه‌های تازه سامسونگ مصرف انرژی کمتری از حافظه‌های ۹۶ لایه‌ی معمولی داشته باشند و ارزش آن ها هم به‌ازای هر گیگابایت کاهش پیدا نماید . با‌این‌حال , احتمال دارد مشکلاتی درزمینه‌ی سرعت نوشتن یاد تولید شود ; مشکلاتی که درصورت ایجادشدن می تواند قیمت یاد را برای شغل های سازمانی کم کند .

مقاله‌ی دارای ربط :
خاطر و فضای ذخیره سازی NAND سه بعدی چه میباشد
برای بازار حافظه‌های سازمانی , ‌ 3D XPoint اینتل و Z – NAND سامسونگ شایسته ترین گزینش به‌شمار میاید ; چون این حافظه‌ها تأخیر یه خرده دارااست و سرعت نوشتن آنان هم پرسرعت است . گفته میشود اینتل درپی به کارگیری از حافظه‌ی فلش ۱۴۴ لایه‌ی QLC در درایوهای بعدی آپتین ( Optane ) است . در مقابل , شرکت‌های Kioxia و وسترن‌دیجیتال را داریم که قصد دارا‌هستند دسته نو حافظه‌های خویش را با اسم XL – FLASH معرفی نمایند . این حافظه‌ بدون شک رقابت را داغ‌تر از پیشین خواهد کرد تا درنهایت , افت ارزش بیشتر این حافظه‌ها و حضور آنها در درایوهای معمولی برای یوزرها را شاهد باشیم .

براساس آمار , سامسونگ توانسته است در سال ۲۰۱۹ ازطریق فروش حافظه‌های فلش NAND درآمدی متساوی ۱۶/۵ میلیارد دلار کسب نماید . این مجموعه ظاهرا بیشتراز هشت‌میلیارد دلار برای ارتقای خطوط ایجاد کارخانه‌هایش در چین صرف نموده است تا به فناوری‌های تازه درزمینه‌ی ساخت حافظه‌های پیشرفته‌تر مجهز شود . سامسونگ یک سری هفته پیش در نامه‌ای قانونی از دولت چین خواهش کرد اذن دهد ۲۰۰ بدن از مهندسانش به کارخانه‌ای بنا شده در شهر شی‌آن مهاجرت نمایند . مهندسان سامسونگ قصد دارا‌هستند درین مهاجرت روی مراحل ساخت حافظه‌های تازه NAND آنالیز نمایند . در‌صورتی‌که اختلالی در برنامه‌های سامسونگ ساخت نشود , کارخانه‌ی این مجموعه در شهر شی‌آن خواهد توانست ماهانه ۱۳۰ هزار واحد تراشه ساخت نماید .

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *